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行业背景
IC设计（Integrated Circuit Design）称为集成电路设计，在纳米制程工艺中，集成电路的精细度很高，而且精度越高，生产工艺越先进。当处理器内部集成了更多的晶体管后，芯片就能实现更多的功能，这也直接降低了处理器的生产成本。但随着集成电路中的工艺节点越来越小，关键尺寸测量也同样面临巨大挑战 ，如何测量分析纳米结构周期、线宽 、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息就显得极为重要。
解决方案
通过ME-L穆勒矩阵椭偏测量获取到16组偏振信息，进而更精准的得到椭偏参数（Ψ ：振幅比 ，△：相位差） ，通过内置数百个光学模型进行拟合，然后测量分析纳米结构周期 、线宽 、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息。
1）建立光学模型
2）偏振元素信息
测试案例
关联产品与配置
ME-Mapping光谱椭偏仪 SE-VF光谱椭偏仪 椭偏仪在线监测装备 -
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发布时间：2021-08-08 15:06
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